化學氣相沉積(CVD)工藝技術特點
化學(xue)(xue)氣(qi)相沉(chen)積(CVD)是(shi)用(yong)化學(xue)(xue)方法使反應氣(qi)體在(zai)零(ling)件(jian)(jian)基材表(biao)(biao)面發生化學(xue)(xue)反應而形成覆蓋層的方法。通常CVD是(shi)在(zai)高(gao)溫(wen)(800~1000℃)和常壓(ya)或低(di)壓(ya)下進行的,沉(chen)積裝置如圖3-13所示。 a.反應氣(qi)體向工(gong)件(jian)(jian)表(biao)(biao)面擴(kuo)散(san)并被吸附(fu)。 b.吸收工(gong)件(jian)(jian)表(biao)(biao)面的各種...